CSD87313DMS Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Texas Instruments MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS
Datenblatt
892Auf Lager
472Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST
Datenblatt
2 497Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT WSON-8 N-Channel 2 Channel 30 V 17 A 5.5 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 28 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel