IXYS MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
IXYS MOSFETs PLUS247 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT
Datenblatt
263Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
Datenblatt
660Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 56 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
Datenblatt
1 128Auf Lager
780Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 52 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
Datenblatt
88Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 205 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
Datenblatt
169Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 150 V 360 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 715 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 300V 56A N-CH X3CLASS
Datenblatt
487Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 56 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 36A
Datenblatt
1 649Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 36 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 93 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
Datenblatt
646Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A
Datenblatt
710Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 80 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
245Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 70 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 190 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 1KV 3A N-CH DEPL
Datenblatt
571Auf Lager
597Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263HV-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
Datenblatt
892Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 1 A 16 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 290 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
Datenblatt
648Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 P-Channel 1 Channel 200 V 90 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 205 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 86 Amps 200V 29 Rds
Datenblatt
744Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 29 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 90 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 6 Amps 1200V 2.700 Rds
Datenblatt
274Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.6 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 250V 30A N-CH HIPER
Datenblatt
547Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Rds
Datenblatt
368Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
Datenblatt
1 361Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs Trench HiperFET Power MOSFET
Datenblatt
299Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 86 A 43 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
Datenblatt
234Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 80A
Datenblatt
544Auf Lager
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 45 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
Datenblatt
661Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs -96 Amps -85V 0.013 Rds
Datenblatt
3 737Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 85 V 96 A 13 mOhms - 15 V, 15 V 2 V 180 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
Datenblatt
239Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 137 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
Datenblatt
488Auf Lager
530Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 P-Channel 1 Channel 500 V 10 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube