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STMicroelectronics SiC-MOSFETs

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Ergebnisse: 68

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Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung

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Teile-Nr.

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 10.24 CHF
303Auf Lager

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SCT070W120G3-4AG

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511-SCT070W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package

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303Auf Lager

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10.24 CHF

8.43 CHF

6.47 CHF

5.78 CHF

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Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

41 nC

- 55 C

+ 200 C

236 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 10.28 CHF
136Auf Lager

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SCT040HU65G3AG

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511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

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136Auf Lager

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10.28 CHF

7.21 CHF

6.26 CHF

Reel

5.85 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055W65G3-4AG
STMicroelectronics
1: 11.29 CHF
47Auf Lager

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SCT055W65G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT055W65G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Datenblatt

47Auf Lager

11.29 CHF

9.05 CHF

7.91 CHF

5.72 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

32 nC

- 55 C

+ 200 C

210 W

Enhancement

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

SCT070H120G3AG
STMicroelectronics
1: 9.86 CHF
85Auf Lager

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SCT070H120G3AG

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511-SCT070H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

85Auf Lager

Cut-Tape

9.86 CHF

6.90 CHF

5.93 CHF

Reel

5.55 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

SCT1000N170
STMicroelectronics
1: 7.20 CHF
567Auf Lager

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SCT1000N170

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511-SCT1000N170

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1700 V, 1.0 Ohm typ., 7 A in an HiP247 package

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Datenblatt

567Auf Lager

7.20 CHF

4.93 CHF

3.65 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

6 A

1 Ohms

- 10 V, + 25 V

2.1 V

14 nC

- 55 C

+ 200 C

120 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

SCT20N120AG
STMicroelectronics
1: 12.88 CHF
470Auf Lager

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SCT20N120AG

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511-SCT20N120AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an

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Datenblatt

470Auf Lager

12.88 CHF

9.50 CHF

6.59 CHF

Anzeigen

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

239 mOhms

- 20 V, + 20 V

3.5 V

45 nC

- 55 C

+ 200 C

175 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

SCTWA40N12G24AG
STMicroelectronics
1: 14.22 CHF
90Auf Lager

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SCTWA40N12G24AG

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511-SCTWA40N12G24AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an HiP247-4 package

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90Auf Lager

14.22 CHF

10.11 CHF

8.85 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

33 A

105 mOhms

- 18 V, + 18 V

5 V

63 nC

- 55 C

+ 200 C

290 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: 20.26 CHF
7Auf Lager
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SCT011HU75G3AG

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511-SCT011HU75G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

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7Auf Lager

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Cut-Tape

20.26 CHF

14.89 CHF

14.88 CHF

Reel

13.90 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 10.80 CHF
3Auf Lager

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SCT070HU120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

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3Auf Lager

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Cut-Tape

10.80 CHF

7.45 CHF

6.70 CHF

Reel

6.40 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

SCTWA90N65G2V-4
STMicroelectronics
1: 23.59 CHF
101Auf Lager

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SCTWA90N65G2V-4

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511-SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 119 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

101Auf Lager

23.59 CHF

17.83 CHF

17.07 CHF

16.27 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

119 A

24 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

157 nC

- 55 C

+ 200 C

565 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

SCTW100N65G2AG
STMicroelectronics
1: 27.94 CHF
281Auf Lager
NRND

Herst. Teilenr.
SCTW100N65G2AG

Mouser-Teilenr.
511-SCTW100N65G2AG

NRND

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 100 A in an H

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281Auf Lager

27.94 CHF

20.84 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

100 A

69 mOhms

- 10 V, + 22 V

5 V

162 nC

- 55 C

+ 200 C

420 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

SCTWA70N120G2V-4
STMicroelectronics
1: 26.14 CHF
28Auf Lager

Herst. Teilenr.
SCTWA70N120G2V-4

Mouser-Teilenr.
511-SCTWA70N120G2V-4

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

28Auf Lager

26.14 CHF

19.17 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HIP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

91 A

30 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.45 V

150 nC

- 55 C

+ 200 C

547 W

Enhancement

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: 13.90 CHF
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT025H120G3AG

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511-SCT025H120G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

Cut-Tape

13.90 CHF

9.86 CHF

9.21 CHF

Reel

8.59 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 19.51 CHF

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SCT015W120G3-4AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

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19.51 CHF

13.25 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

SCT027HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 10.96 CHF
Neues Produkt

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SCT027HU65G3AG

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511-SCT027HU65G3AG

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STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A

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Cut-Tape

10.96 CHF

8.18 CHF

7.07 CHF

Reel

6.25 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 600

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: 10.28 CHF

Herst. Teilenr.
SCT040H120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

Cut-Tape

10.28 CHF

7.21 CHF

6.26 CHF

Reel

5.85 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 10.21 CHF

Herst. Teilenr.
SCT055HU65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

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Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

Cut-Tape

10.21 CHF

7.15 CHF

6.20 CHF

Reel

5.78 CHF

MouseReel verfügbar

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

SCT10N120AG
STMicroelectronics
1: 7.45 CHF

Herst. Teilenr.
SCT10N120AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT10N120AG

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

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Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

7.45 CHF

4.38 CHF

3.82 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

12 A

500 mOhms

- 10 V, + 25 V

3.5 V

22 nC

- 55 C

+ 200 C

150 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3-7
STMicroelectronics
1: 13.60 CHF
100Auf Bestellung
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT025H120G3-7

Mouser-Teilenr.
511-SCT025H120G3-7

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

100Auf Bestellung

Cut-Tape

13.60 CHF

10.52 CHF

9.11 CHF

9.10 CHF

Reel

8.04 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: 9.32 CHF
100Auf Bestellung
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT040W120G3-4

Mouser-Teilenr.
511-SCT040W120G3-4

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

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Datenblatt

100Auf Bestellung

9.32 CHF

5.65 CHF

5.21 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

SCTHC250N120G3AG
STMicroelectronics
1: 61.10 CHF
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCTHC250N120G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCTHC250N120G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 8.5 mOhm typ., 239 A in a STPAK high creepage package

Datenblatt

Weitere Infos Verfügbar

61.10 CHF

49.38 CHF

46.30 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

STPAK-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

239 A

10.5 nC

- 10 V, + 22 V

4.4 V

304 nC

- 55 C

+ 200 C

994 W

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

SCT011H75G3AG
STMicroelectronics
1: 18.82 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT011H75G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT011H75G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Cut-Tape

18.82 CHF

16.29 CHF

Reel

13.85 CHF

Min.: 1
Mult.: 1

Rolle: 1 000

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

SCT014HU65G3AG
STMicroelectronics
600: 11.59 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT014HU65G3AG

Mouser-Teilenr.
511-SCT014HU65G3AG

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen

Reel

11.59 CHF

Min.: 600
Mult.: 600

Rolle: 600

AEC-Q100

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

SCT014TO65G3
STMicroelectronics
1 800: 8.52 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT014TO65G3

Mouser-Teilenr.
511-SCT014TO65G3

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 13.5 mOhm typ., 110 A in a TO-LL package

Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen

Reel

8.52 CHF

Anzeigen

Min.: 1 800
Mult.: 1 800

Rolle: 1 800

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT018H65G3-7
STMicroelectronics
1 000: 7.16 CHF
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Neues Produkt

Herst. Teilenr.
SCT018H65G3-7

Mouser-Teilenr.
511-SCT018H65G3-7

Neues Produkt

STMicroelectronics

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

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Datenblatt

Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen

Reel

7.16 CHF

Min.: 1 000
Mult.: 1 000

Rolle: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

55 A

27 mOhms

-10 V, 22 V

4.2 V

79.4 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

STMicroelectronics SiC-MOSFETs

Kundenservice

Unternehmen

Ressourcen

Support

6 A
7 A
12 A
20 A
30 A
33 A
35 A
36 A
40 A
55 A
56 A
60 A
90 A
91 A
100 A
110 A
112 A
119 A
129 A
239 A

10.5 nC
10.5 mOhms
12 mOhms
15 mOhms
15.8 mOhms
18 mOhms
21 mOhms
22 mOhms
24 mOhms
25 mOhms
26 mOhms
27 mOhms
28 mOhms
29 mOhms
30 mOhms
37 mOhms
39.3 mOhms
40 mOhms
54 mOhms
63 mOhms

14 nC
22 nC
29 nC
31 nC
32 nC
36 nC
37 nC
37.5 nC
39.5 nC
41 nC
42.5 nC
45 nC
48.6 nC
51 nC
54 nC
56 nC
61 nC
63 nC
73 nC
76 nC

120 W
150 W
175 W
185 W
210 W
221 W
223 W
234 W
236 W
240 W
266 W
278 W
288 W
290 W
300 W
312 W
313 W
375 W
385 W
388 W