IXYS MOSFETs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs 24 Amps 500V 0.30 Ohms Rds
Datenblatt
295Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 160 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
Datenblatt
396Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube

IXYS MOSFETs TrenchP Power MOSFET
Datenblatt
549Auf Lager
390Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 200 V 68 A 55 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 380 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs High Voltage Power MOSFET
Datenblatt
270Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 6 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 44.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Datenblatt
723Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TenchP Power MOSFET
Datenblatt
2 772Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 200 V 32 A 130 mOhms - 15 V, 15 V 4 V 185 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
Datenblatt
719Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
Datenblatt
1 252Auf Lager
1 170Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 100 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 198 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
Datenblatt
316Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 200 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 145 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
287Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
Datenblatt
364Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 16 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
371Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 64A
Datenblatt
389Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 500V 16A
Datenblatt
1 726Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 16 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Datenblatt
729Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.50 Rds
Datenblatt
442Auf Lager
150Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS
Datenblatt
232Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 250 V 240 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
Datenblatt
250Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 200 V 300 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
267Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
Datenblatt
160Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 78 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 147 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Datenblatt
824Auf Lager
648Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 3 A 6 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 37.5 nC - 55 C + 150 C 125 W Depletion Tube
IXYS MOSFETs 4500V 0.9A HV Power MOSFET
Datenblatt
162Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 900 mA 80 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
Datenblatt
306Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 100 V 52 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFETs 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Datenblatt
269Auf Lager
300Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 21 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement X4-Class Tube
IXYS MOSFETs D2 Depletion Mode Power MOSFETs
Datenblatt
901Auf Lager
300erwartet ab 27.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 10 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 4.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 695 W Depletion Tube