Neu Bipolartransistoren - BJT
Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs are AEC-Q101 qualified and leverage advanced trench technology, which enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge. This results in improved efficiency and reduced power loss. The Diotec Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs also feature low on-state resistance, which minimizes conduction losses and enhances overall system performance. These characteristics make the MOSFETs ideal for various automotive and industrial applications where reliability and efficiency are paramount.
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Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETsEnhances performance by providing fast switching times and low total gate charge.05.03.2025
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onsemi NST807 Universal-PNP-TransistorenLeistungsstarke, zuverlässige Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung und schnellen Schaltgeschwindigkeiten03.03.2025 -
onsemi NST817 Universal-NPN-TransistorenEine zuverlässige Lösung für Schaltungsdesigns, die einen effizienten und wirksamen Transistorbetrieb erfordern.03.03.2025 -
Nexperia BC5xPAS-Q 1 A PNP-Transistoren für mittlere LeistungenAEC-Q101 qualifizierte PNP-Transistoren in einem ultradünnen DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD-Kunststoffgehäuse.30.12.2024 -
onsemi NSS100xCL Universal-Transistoren mit niedrigem VCE (sat)Hochleistungs-Sperrschicht-Bipolartransistoren, die für Fahrzeuganwendungen und anspruchsvolle Applikationen konzipiert sind.20.12.2024 -
Diodes Incorporated DXTN69060C 60 V-NPN-Transistoren m. niedriger VCEVerfügt über eine proprietäre Struktur für eine extrem niedrige VCE (SAT)-Leistung.14.11.2024 -
onsemi NST856MTWFT PNP-Transistoren65 V, 100 mA Bauteile, die für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt sind.22.10.2024 -
onsemi BCP53M PNP-Transistor im mittleren LeistungsbereichFür Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt und in einem DFN2020-3-Gehäuse untergebracht.18.10.2024 -
onsemi BCP56M NPN-Transistor im mittleren LeistungsbereichFür Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt und in einem DFN2020-3-Gehäuse untergebracht.18.10.2024 -
onsemi BC846BPDW1 BipolartransistorenFür stromsparende oberflächenmontierbare Applikationen ausgelegt, die im SOT-363/SC-88-Gehäuse untergebracht sind.17.10.2024 -
onsemi NSS40300CT BipolartransistorenVerfügen über eine niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) und eine hohe Stromverstärkungsleistung.07.10.2024 -
onsemi NST846MTWFT NPN-TransistorWird bei 65 V, 100 mA betrieben und ist für Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt.07.10.2024 -
onsemi NSV1C300CT BipolarleistungstransistorVerfügen über eine niedrige Sättigungsspannung VCE(sat) und eine hohe Stromverstärkungsleistung.04.10.2024 -
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q TransistorenBietet niedrigen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und hohen Kollektorstrom Fähigkeit.04.07.2024 -
onsemi e2PowerEdge Transistoren mit niedriger VCE(sat)-SpannungDiese SMD-Bauteile zeichnen sich durch eine extrem niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) und hohe Stromverstärkungsfähigkeit aus.01.07.2024 -
PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN TransistorAEC-Q101-qualified electrically isolated dual NPN switching transistor.11.04.2024 -
onsemi MSD1819A-R Universal-Transistor mit niedriger VCEFür Universal-Verstärkerapplikationen ausgelegt und verfügt über eine niedrige VCE <0,5 V.30.01.2024 -
onsemi NSV40301MZ4 Bipolarer LeistungstransistorNPN-Transistor mit einer Kombination aus niedriger Sättigungsspannung und niedriger VCE (sat) mit hohem Gain.29.12.2023 -
PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage TransistorsOffer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA.10.11.2023 -
Nexperia Kleinsignal-Bipolartransistor in DFNErfüllt die wachsende Nachfrage nach elektronischen Funktionen in Fahrzeugen.02.11.2023 -
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551HE3 Dual NPN TransistorAEC-Q101 qualified small-signal Bipolar Junction Transistor (BJT) with 600mA collector current.25.09.2023 -
Micro Commercial Components (MCC) MMBTA56HE3 PNP Amplifier TransistorAEC-Q101 qualified general-purpose Bipolar Junction Transistor (BJT) in a SOT-23 package.25.09.2023 -
Micro Commercial Components (MCC) DMMT3904HE3 Dual NPN TransistorAEC-Q101 qualified small-signal Bipolar Junction Transistor (BJT) in an SOT-363 package.25.09.2023 -
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5401HE3 Dual PNP TransistorAEC-Q101 qualified Bipolar Junction transistor (BJT) with 200mW power dissipation.25.09.2023 -
Nexperia BJT Bipolartransistoren im DFN-GehäuseKleiner Formfaktor, der etwa 75 % weniger Platinenplatz benötigt und mehr Gestaltungsfreiheit ermöglicht.06.07.2023