Neu SiC-MOSFETs
Die 1200-V-Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFETs IXSJxN120R1 von Littelfuse sind Hochleistungsbauelemente, die für anspruchsvolle Stromwandlungsapplikationen entwickelt wurden. Die IXSJxN120R1 MOSFETs von Littelfuse nutzen die überlegenen Eigenschaften der SiC-Technologie, um geringe Schaltverluste, einen hohen Wirkungsgrad und eine hervorragende thermische Leistung zu erzielen. Der IXSJ25N120R1 bietet einen typischen RDS(on) von 80 mΩ und ist für Applikationen mit niedrigerem Stromverbrauch optimiert, während IXSJ43N120R1 und IXSJ80N120R1 niedrigere Einschaltwiderstandswerte von 45 mΩ bzw. 20 mΩ aufweisen und somit höhere Strombelastbarkeiten unterstützen. Alle drei Bauteile zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten, eine robuste Avalanche-Fähigkeit und einen Kelvin-Source-Pin zur verbesserten Gate-Treiber-Steuerung aus. Diese Eigenschaften machen die IXSJxN120R1-Baureihe ideal für den Einsatz in Umrichtern für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichtern, industriellen Motorantrieben und hocheffizienten Stromversorgungen.
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Littelfuse IXSJxN120R1 SiC-Leistungs-MOSFETs mit 1.200 VHochleistungsfähiges Bauteile entwickelt für anspruchsvolles Leistungsumwandlungs-Applikationen.23.06.2025
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Infineon Technologies CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETsAutomobil und industrietaugliche MOSFETs mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von bis zu 78 mΩ.03.06.2025 -
onsemi NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)Verfügt über eine maximale RDS(ON) von 76 mΩ bei 20 V und eine Drain-Source-Spannung von 1700 V.22.05.2025 -
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETsDelivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.06.05.2025 -
Wolfspeed 1.700-V-Siliziumkarbid-MOSFETsBieten eine höhere Schaltung, einen höheren Systemwirkungsgrad und eine höhere Leistungsdichte für die Leistungsumwandlung der nächsten Generation.17.04.2025 -
IXYS IXSA40N120L2-7 SiC-MOSFETEinzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 80 mΩ, 41 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.06.03.2025 -
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC-MOSFETEinzelschalter-MOSFET, der über ein 1.200 V, 30 mΩ, 79 A Industriestandard-Bauteil in einem TO263-7L-Gehäuse verfügt.06.03.2025 -
onsemi NVH4L050N170M1 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETsLiefern eine außergewöhnliche Leistung mit einem typischen RDS(on) von 53 mΩ bei VGS = 20 V.20.02.2025 -
onsemi NTBL032N065M3S Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETsFür schnelle Schaltapplikationen ausgelegt, die eine zuverlässige Leistung bieten.20.02.2025 -
Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFETOffers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications18.02.2025 -
IXYS IXSH40N120L2KHV SiC-MOSFETDer 1.200 V 80-mΩ und 41 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.18.02.2025 -
IXYS IXSH80N120L2KHV SiC-MOSFETDer 1.200 V 30-mΩ und 79 A-MOSFET wird für den Einsatz in Industrie-Schaltnetzteilen empfohlen.18.02.2025 -
Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETsIdeal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.06.09.2024 -
Navitas Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETsDeveloped using a proprietary trench-assisted planar technology for high-speed performance.03.09.2024 -
Navitas Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETsEnable 22kW, 800V bi-directional on-board chargers for Electric Vehicles (EVs).03.09.2024 -
Micro Commercial Components (MCC) SICWx Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs650 V SiC-MOSFETs mit Hochgeschwindigkeits-Schaltfähigkeit und sind in einem TO-247-Gehäuse verfügbar.03.09.2024 -
Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1.200-V-SiC-n-Kanal-MOSFETsVerstärken die Leistungsfähigkeit in vielseitigen TO-247-4-, TO-247-4L- und TO-247AB-Gehäusen.03.09.2024 -
Infineon Technologies CoolSiC™ 400-V-G2-Siliziumkarbid-MOSFETsSpeziell ausgelegt für den Einsatz in der AC/DC-Stufe von KI-Server-PSUs und Solar-/Energiespeichersystemen.28.08.2024 -
Vishay MXP120A MaxSiC™ 1.200 V N-Kanal-MOSFETsBieten eine schnelle Schaltgeschwindigkeit, 3 μs Kurzschlussfestigkeitszeit und 139 W maximalen Leistungsverlust.26.08.2024 -
onsemi NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC-MOSFETBietet eine M3S-Planar-Technologie für schnellschaltende Applikationen in einem D2PAK-7L-Gehäuse.14.08.2024 -
onsemi NTH4L018N075SC1 n-Kanal-SiC-MOSFETM2-EliteSiC-MOSFET von 750 V mit niedrigem On-Widerstand, erhältlich in einem kompakten TO247-4L-Gehäuse.14.08.2024 -
onsemi NTH4L023N065M3S SiC-MOSFETBietet eine Sperrnennspannung von 650 V, eine Ausgangskapazität von 153 pF und ein TO-247-4L-Gehäuse.06.08.2024 -
Micro Commercial Components (MCC) DC Fast Charging SolutionsSupports EVs with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency.01.08.2024 -
Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETsOffers fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material.26.07.2024 -
Wolfspeed TO-247-4 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem ProfilBieten einen hohen Systemwirkungsgrad, reduzieren Schaltverluste und minimieren das Gate-Schwingen.03.07.2024