Neu MOSFETs
Der Nexperia BXK9Q29-60A N-Kanal-Trench-MOSFET ist ein Modus-Feldeffekt-Transistor (FET) in einem kleinen SOT8002-3 (MLPAK33) SMD-Kunststoffgehäuse, der auf der Trench-MOSFET-Technologie basiert. Dieser N-Kanal-MOSFET ist logikpegelkompatibel, schnell schaltend und vollständig fahrzeugqualifiziert für AEC-Q101 bei 175 °C. Der BXK9Q29-60A Trench-MOSFET zeichnet sich durch eine maximale Drain-Source-Spannung von 60 V, einen maximalen Spitzen-Drainstrom von 84 A und eine maximale Gesamtverlustleistung von 27 W aus. Dieser N-Kanal-MOSFET verfügt außerdem über einen typischen Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand von 23,7 mΩ, eine maximale nicht wiederholbare Drain-Source-Avalanche-Energie von 25 mJ und einen maximalen nicht wiederholbaren Avalanche-Strom von 15,8 A. Der BXK9Q29-60A Trench-MOSFET ist EU/CN RoHS-konform. Typische Applikationen sind LED-Beleuchtung, Schaltungen und DC/DC-Wandlung.
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Nexperia BUK9Q N-Kanal-Trench-MOSFETLogik-kompatibel, schnelles Schalten und vollständig für den Automobilbereich gemäß AEC-Q101 bei 175 °C qualifiziert.09.09.2025
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ROHM Semiconductor Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETsMit niedrigem On-Widerstand und schneller Schaltung, ideal für Motorantriebe.30.06.2025 -
onsemi NVMFS4C03NWFET1G Einzelner n-Kanal-Leistungs-MOSFETBietet hervorragende thermische Leistung und niedrigen RDS(on) in einem kompakten PowerFLAT-Gehäuse von 5 mm x 6 mm.23.06.2025 -
ROHM Semiconductor Automotive-Leistungs-MOSFETs 40 A und 80 AVerfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignen sich hervorragend für FAS, Fahrzeuganwendungen und Beleuchtungsapplikationen.16.06.2025 -
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETsThese MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).09.06.2025 -
onsemi NVMFDx 100 V n-Zweikanal-Kanal-Leistungs-MOSFETsVerfügen über niedrige RDS(on)-Werte und schnelle Schalteigenschaften in einem platzsparenden DFN-8-Gehäuse.09.06.2025 -
ROHM Semiconductor RV7E035AT p-Kanal-Kleinsignal-MOSFETKompakter Hochleistungs-MOSFET, der für Niederspannungs-Schaltapplikationen ausgelegt ist.04.06.2025 -
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETsFeatures low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.03.06.2025 -
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650 V Leistungs-MOSFETsGemäß dem Superjunction-Prinzip (SJ) ausgelegt, um geringe Schalt- und Leitungsverluste zu bieten.03.06.2025 -
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®-MOSFETFür die Verarbeitung von hohen Strömen ausgelegt, was für DC/DC-Leistungsumwandlungsstufen entscheidend ist.13.05.2025 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200 V Leistungs-MOSFETsBieten ein hervorragendes Gate-Ladung x RDS(on) -Produkt (FOM) sowie einen niedrigen On‑Widerstand RDS(on).30.04.2025 -
onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFETBietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem nach AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse von 3,3 mm x 3,3 mm.28.04.2025 -
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFETsEin niedriger RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse mit einem kleinen Footprint von 3,3 mm x 3,3 mm.28.04.2025 -
onsemi NVBLS1D2N08X MOSFETVerfügt über einen niedrigen QRR, RDS (on) und QG zur Reduzierung von Treiber- und Leitungsverlusten.28.04.2025 -
PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETsAdvanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.21.04.2025 -
onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET40 V, 154 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.17.04.2025 -
onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFETBietet einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten SO-8FL-Gehäuse mit Abmessungen von 5 mm x 6 mm.17.04.2025 -
onsemi NVTFWS002N04XM MOSFETVerfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine geringe Kapazität in einem kleinen gemäß AEC-Q101 zertifizierten µ8FL-Gehäuse, welches Abmessungen von 3,3 mm x 3,3 mm aufweist.17.04.2025 -
onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET40 V, 469 A, Einzel-, N-Kanal-, STD-Gate-MOSFET in einem SO8FL-Gehäuse.17.04.2025 -
Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETsUse Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.16.04.2025 -
Nexperia PXNx N-Kanal Logic Level Trench MOSFETs60 V und 100 V MOSFETs für hochgradig effizientes Power Management in verschiedenen Anwendungen.14.04.2025 -
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150-V-Leistungs-MOSFETsVerfügen über einen branchenführenden niedrigen RDS(on), eine verbesserte Schaltleistung und ein ausgezeichnetes EMI-Verhalten.11.04.2025 -
Renesas Electronics REXFET-1 Leistungs-MOSFETs von 100 V und 150 VNutzt die Split-Gate-Technologie mit Anschlüssen mit benetzbaren Flanken und ist ideal für Hochstromapplikationen.21.03.2025 -
onsemi Maschinelles SehenEine breite Palette von Bildsensorlösungen, von VGA bis 45MP, für die Anforderungen der industriellen Bildverarbeitung.18.03.2025 -
IXYS IXFP34N65X2W Leistungs-MOSFET650 V HiPerFET™ -Leistungs-MOSFET der X2-Klasse mit 100 mΩ und n-Kanal-Anreicherungstyp.17.03.2025