Neu IGBTs
Der IGBT STGWA30IH160DF2 der IH2-Serie mit 1600 V von STMicroelectronics wurde durch die Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt. Die Leistung ist sowohl bei Leitungs- als auch Schaltverlusten für eine weiche Kommutierung optimiert. Eine Freilaufdiode mit niedrigem Durchlass-Spannungsabfall ist enthalten. Der STGWA30IH160DF2 von STMicro ist speziell zur Maximierung des Wirkungsgrads für alle Resonanz- und Soft-Switching-Applikationen ausgelegt. Das Bauteil ist in einem TO-247-Gehäuse mit verlängerten Anschlüssen verfügbar.
-
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600 V IGBT der Baureihe IH2Durch Implementierung einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Struktur entwickelt.22.05.2025
-
ROHM Semiconductor RGE-Field-Stop-Trench-IGBTsZeichnet sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung und einen geringen Schaltverlust aus.15.01.2025 -
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT mit DiodeKombiniert zwei IGBTs und Dioden in einer Halbbrücken-Topologie.24.12.2024 -
ROHM Semiconductor RGA80Tx 1.200 Vn-Field-Stop-Trench-IGBTsDiese verfügen über einen geringen Schalt- und Leitungsverlust und eignen sich hervorragend für elektrische Kompressoren und HV-Heizgeräte.17.10.2024 -
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG Automobilstandard-IGBTMit einem fortschrittlichen Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.12.09.2024 -
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG Automobilstandard-IGBTMit einem fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Field-Stop-Aufbau ausgelegt.12.09.2024 -
IXYS XPT IGBTs der 5. Gen.Bieten eine Nennspannung von 650 V, einen Strombereich von 35 A bis 220 A und eine niedrige Gate-Ladung.25.07.2024 -
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG Automobilstandard-IGBT der MS-Baureihe1200 V, 40 A, verlustarm, niedriger thermischer Widerstand und in einem TO-247-Gehäuse mit langer Anschlussleitung erhältlich.03.07.2024 -
onsemi AFGHxL40T Automobilstandard-IGBTsAEC-Q101-qualifiziert und verwendet eine robuste Field-Stop-VII-Trench-Bauweise.12.06.2024 -
onsemi FGB5065G2-F085 EcoSPARK® 2 HV-HE IGBT650-V-n-Kanal-Zündbauteil für PTC-Heizgeräte und Hochstrom-Systemapplikationen.04.06.2024 -
Diotec Semiconductor DIWOx Fast Switching IGBT TransistorsInclude a reverse diode and use Trench and Fieldstop technology in a TO-247 package.24.04.2024 -
PANJIT PTGH High-Speed 650V Field Stop Trench IGBTsOffer superior high-speed switching capabilities with a low saturation voltage of 1.65V at TVJ 25°C.12.04.2024 -
onsemi WärmepumpenDie Wärmepumpe steht als Eckpfeiler des globalen Wandels hin zu einer sicheren und nachhaltigen Erwärmung.01.03.2024 -
onsemi AFGHL50T65RQDN 650 V 50 A IGBTField-Stop-IGBT der 4. Generation mit innovativer Technologie.01.03.2024 -
onsemi FGY4LxxT120SWD n-Kanal-1.200-V-IGBTsDie Bauteile verwenden die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie der 7. Generation und die Gen7-Diode.07.02.2024 -
Bourns ElektrifizierungslösungenTransformatoren, Drosseln, Widerstände und andere Produkte, die für Systeme, die in der Elektrifizierung verwendet werden, ausgelegt sind.20.12.2023 -
onsemi FGHL60T120RWD 1200 V Diskreter 60 A-IGBTVerwendet fortschrittliche IGBT-Technologie der 7. Generation und ist in einem TO247-Gehäuse 3 Anschlüssen untergebracht.29.11.2023 -
onsemi FGHL40T120RWD 1200 V Diskreter 40 A-IGBTVerwendet die IGBT-Technologie der 7. Generation und ist in einem TO247-Gehäuse mit 3 Anschlüssen untergebracht.29.11.2023 -
onsemi AFGHxL25T n-Einkanal-1.200-V-25-A-IGBTsDiese Bauteile zeichnen sich durch eine robuste und kostengünstige Field-Stop-VII-Trench-Bauweise aus.22.11.2023 -
onsemi FGY140T120SWD 1200 V Schneller diskreter 140 A-IGBTAusgestattet mit fortschrittlicher IGBT-Technologie der 7. Generation.13.11.2023 -
STMicroelectronics STGD4H60DF 600 V 4 A Hochgeschwindigkeits-IGBT der H-BaureiheMit einer fortschrittlichen trench-gate-field-stop-Struktur ausgelegt.31.10.2023 -
Littelfuse 1200-V-Trench-XPT™- IGBTs mit SchalldiodenEntwickelt mit XPT-Dünnschicht-Wafer-Technologie und Trench-IGBT-Verfahren mit antiparallelen Schalldioden.18.10.2023 -
onsemi FGH4L50T65SQD 650 V 50 A Hochgeschwindigkeits-IGBTDas Bauteil verwendet die neuartige Field-Stop-IGBT-Technologie in dieser Baureihe von IGBTs der 4. Generation.13.10.2023 -
onsemi FGH4L50T65MQDC50 650-V-Field-Stop-IGBT mit mittlerer GeschwindigkeitVerwendet Field-Stop-IGBT-Technologie der 4. Generation und 1,5-SiC-Schottky-Dioden-Technologie.15.08.2023 -
Nexperia NGWx Trench-Field-Stop-IGBTsKombinieren Träger-gespeicherte Trench-Gate- und Field-Stop-Strukturen mit Technologie der 3. Generation.09.08.2023